추경호 부총리 겸 기획재정부 장관이 SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터에 조성할 예정인 웨이퍼 기반 미니 팹(fab·공장)에 정부 예산을 투입하는 안을 검토하겠다고 밝혔다. SK하이닉스는 2027년 용인 반도체 클러스터에 미니 팹 성격의 300㎜ 기반 '트리니티 팹' 구축을 계획 중이다.

추경호 부총리는 27일 오전 경기도 이천시 SK하이닉스를 방문한 자리에서 이같은 입장을 표명했다. 이번 현장 방문을 통한 간담회는 업계 동향을 점검하고, 차세대 초격차 확보를 위한 정책 방향을 논의하고자 이뤄졌다. 이 자리에는 SK하이닉스, 반도체협회, 협력 업체 관계자 등이 참석했다. 추 부총리는 D램 생산라인을 둘러보고, 차세대 반도체 초격차를 확보하기 위한 업계의 건의를 들은 것으로 전해졌다.

SK하이닉스 측은 이 자리에서 오는 2025년 용인 클러스터에 착공하는 '미니 팹' 구축에 국비 지원을 건의한 것으로 알려졌다. 추 부총리는 "기업이 장비 도입 계약 등을 차질 없이 이행하려면, 정부도 신속히 의사결정을 내릴 필요가 있다"면서 "차기 2025년도 본예산 편성 과정에서 적극 검토하겠다"고 답변했다.

전세계 반도체 강국은 현재 300㎜ 기반 미니 팹을 기반으로 반도체 기술을 선도하고 있지만, 국내에는 200㎜ 기반의 미니 팹만 있는 실정이다. 미니 팹은 반도체 '소부장'(소재·부품·장비) 등을 실증 연구하기 위해 반도체 공정을 간소화한 시설을 말한다.

추 부총리는 간담회에서 "반도체 산업은 우리 경제의 전략적 핵심 산업으로 지난해 수출의 18.9%, 제조업 투자의 41.5%를 차지했다"라며 "반도체 경기가 회복되고 활력을 되찾아야 수출이 증가하고 경제 전반의 성장으로 이어질 수 있"고 밝혔다.

그러면서 "인공지능 시장 확대 등 디지털 전환이 가속화되면 시스템반도체, 첨단 패키징 등 차세대 반도체의 중요성이 더욱 커질 것"이라며 "SK하이닉스가 추진하는 고대역폭 메모리(HBM) 생산설비 증설 투자 등은 차세대 반도체의 주도권을 확보하는 데 크게 기여할 것"이라고 했다.

추 부총리는 정부 지원과 관련해선 "정부는 올해 반도체 분야에 2조8000억원의 정책금융을 지원 중이고, 내년에도 정책금융 등을 통해 최대한 지원할 계획"이라며 "첨단 전략 산업 특화 단지의 신속한 조성을 위해 전력·용수 공급 문제 해결 등 특화 단지 맞춤형 지원 계획도 연내 수립할 예정"이라고 말했다.

김은정 디지털팀 기자 다른기사 보기